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YF1214S--PMOS,耐压18V,内阻13mΩ,DFN2x2封装

YF1214S--PMOS,耐压18V,内阻13mΩ,DFN2x2封装

GeneralFeatures●P-ChannelVDS=-18V,ID=-11.5ARDS(ON)<17.2m?@VGS=-4.5VRDS(ON)<26m?@VGS=-2.5V

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  • 供货总量: 3000000PCS
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  • 地   址:
    广东 深圳 宝安区 72区留仙三路创兴达商务中心3009
产品特性:低压MOS品牌:YF型号:YF1214S
类型:其他IC用途:低压MOS封装:DFN2x2
功率:12W批号:2024+产品说明:盘装
包装:3000PCS/盘应用领域:3C数码

YF1214S--PMOS,耐压18V,内阻13mΩ,DFN2x2封装详细介绍

Description 

 The YF1214S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.



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