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YF6601/YF312ME--N+PMOS,耐压30V,SOT23-6封装

YF6601/YF312ME--N+PMOS,耐压30V,SOT23-6封装

N+PMOS,耐压30V,SOT23-6封装,无线充专用MOS管

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  • 供货总量: 3000000PCS
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  • 地   址:
    广东 深圳 宝安区 72区留仙三路创兴达商务中心3009
产品特性:低压MOS品牌:YF型号:YF6601/YF312ME
类型:其他IC用途:无线充封装:SOT23-6
批号:2023+产品说明:盘装包装:3000PCS/盘
应用领域:3C数码

YF6601/YF312ME--N+PMOS,耐压30V,SOT23-6封装详细介绍

General Features

鈼 N-Channel

VDS = 30V,ID =5A

RDS(ON) <49m鈩 @ VGS=4.5V

RDS(ON) <68m鈩 @ VGS=2.5V

鈼 P-Channel

VDS = -30V,ID = -4A

RDS(ON) <100m鈩 @ VGS=-4.5V

RDS(ON) <150m鈩 @ VGS=-2.5V


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